技术编号:9284921
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,高温结构材料单晶或柱状晶工作温度的升高,对其制备工艺和装置提出更高要求,高温度梯度是通过熔炼方法制备高温结构材料单晶或柱状晶的必要条件,同时,为了提升半导体材料的光电转换效率,对半导体单晶或多晶的制备及提纯具有重要意义,但常规的熔炼技术已经满足高纯度材料的制备;电子束熔炼具有熔炼温度高,温度梯度高,凝固速率精确可控,在真空中进行可用于材料的精炼提纯等特点,已广泛应用于材料的熔炼领域;但是目前存在的电子束熔炼装置具有结构复杂,带有坩祸等缺点,增加了设备...
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