技术编号：9289228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在基于等离子体的系统中，在等离子体室内产生等离子体以在晶片上执行各种操 作，例如，蚀刻、清洁、沉积等。对等离子体进行监测和控制，从而控制各种操作的执行。例 如，通过监测等离子体的电压来监测等离子体，并通过控制提供给等离子体室的射频（RF) 功率的量来控制等离子体。 然而，使用电压监测和控制操作的执行可能无法提供满意的结果。此外，电压的监 测可能是昂贵和费时的操作。 在这种背景下，提出了本公开中所描述的实施方式。发明内容 本公开的实施方式提供了用于使用模型...
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