技术编号:9289279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT 模块(Insulated Gate Bipolar Transistor,中文译为绝缘棚.双极型晶体管),是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,在现代电力电子技术中,IGBT模块的应用越来越广泛,在较高频率的大、中功率应用场合中占据了主导地位。IGBT模块集成度的不断提高必然使得发热量提高,温度超过其工作允许的范围后,很可能导致器件失效甚至损坏,造成严重经济损失。因此,模块散热问题成为制约电力电子模块朝更高集成度发展的最大障碍。如何使...
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