技术编号：9289309
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。化学气相沉积(CVD)设备是通过化学反应在诸如半导体晶圆之类的目标沉积体上形成薄膜的装置。通过在高温高压条件下将源气体注入处理室中，可通过化学反应生长化合物薄膜。发明内容通过提供一种制造半导体器件的方法可实现实施例，所述方法包括步骤通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。铝化合物膜的至少一部分可含有与氧结合的...
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