技术编号:9291772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有P型(P掺杂)硅基板的常规太阳能电池在其正面上具有η型(η掺杂)扩散层形式的η型发射器。这种常规的硅太阳能电池结构使用负极来接触电池的正面即光照面、以及在背面上的正极。众所周知,在半导体的ρ-η结上入射的合适波长的辐射充当产生电子-空穴对的外部能源。存在于Ρ-η结处的电势差会导致空穴和电子以相反的方向跨过该结移动,从而生成能够向外部电路传送电力的电流。大部分太阳能电池为已经金属化的硅片形式,即设有导电的金属电极。通常,正面金属化为所谓的H图案的形式,即...
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