技术编号:9291809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。由半导体集成电路构成的半导体装置具有作为外部连接用电极的焊盘。在该焊盘的附近通常设置有保护半导体装置的内部电路免受ESD (静电放电)损伤的ESD保护电路。ESD保护电路之一有使用了多指型的N沟道型MOS晶体管(以下记作NMOS晶体管)的ESD保护电路。这里,该NMOS晶体管的栅极和源极与接地端子连接,漏极与焊盘和内部电路连接(例如,参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献1日本特开2007-116049号公报发明内容发明所要解决的问题在专利文献I公...
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