技术编号：9300987
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 由方向性固化作用所形成的多晶娃（multi-crystalline silicon，mc_Si)由于其 低生产成本与高产量因而非常吸引光伏产业。然而，由于杂质累积与差排（dislocation) 的产生（增加），随着铸锭（ingot)成长越来越高，结晶品质退化。由于这些缺陷，再加上晶 体性质受到晶粒外型与晶格位向影响，因而在晶体成长过程中，晶粒结构的控制是很重要 的。 不同于随机晶界，通过特定错向（misorientation)以及良好选择的大量面积 定...
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