技术编号：9305546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。诸如蓝宝石基底、SiC基底等的异质基底通常用作用于生长氮化物单晶体的基底。然而，这种异质基底昂贵或具有高硬度，使得处理困难。尤其是，蓝宝石基底具有低导电率。为了克服这种限制，提出了利用硅基底来生长氮化物单晶体的方案。然而，当在硅基底上生长氮化物单晶体薄膜时，由于硅基底与薄膜之间的晶格失配而使位错密度增大，并且由于热膨胀系数之间的差异可能发生塑性变形开裂。结果，生长在硅基底上的薄膜会具有不均匀的厚度。另外，硅元素可扩散以与III族金属(例如，镓)氮化物形成共...
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