技术编号：9305550
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 将电子器件缩小为纳米级（尺寸小于100纳米（nm))的挑战之一是在小于10纳米 的尺寸范围内实现半导体材料的受控掺杂。例如，由于晶体管栅极长度快速接近小于IOnm 尺寸范围，纳米长度规格上的高度传导性超浅结用于缩小晶体管尺寸，以实现更快的晶体 管速度和更高的堆积密度。此外，已提出的宽范围的小型化电子应用结合了利用掺杂的纳 米线结构模块或其他非平面传导性纳米结构。 现有的方法不适用于掺杂至小于IOnm的深度。离子注入涉及用高能掺杂剂离子 轰击硅基材，这替代...
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