技术编号:9305558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,晶圆表面光刻胶的去除方法分为干法去胶和湿法去胶。其中,干法去胶是通过氧原子与光刻胶在等尚子体环境中发生反应来去除光刻胶的。在干法去胶过程中,尚子的轰击有时会造成硅片上器件的损伤。同时晶圆上需要去除的大部分无机材料不能被等离子体变成挥发性的物质而去除,单独的干法去胶是不能有效清除晶圆表面残留物的。湿法去胶是通过化学药液去除晶圆表面难以去除的光刻胶残留物。由于光刻胶的表面必须在氟基或氯基气体中进行加固处理,这使得光刻胶在大部分湿法去胶中难以溶解。同时上述...
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