技术编号:9306394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种抗辐射触发器,特别是一种基于DICE和TMR的抗辐射触发器电路。背景技术传统的经过MOS管级的测试和验证,传统的纯DICE或纯TMR方式的抗辐射加固的触发器的抗辐射指标不能满足需求,尤其在深亚微米工艺下,会存在如下问题采用纯DICE电路结构的触发器,虽然对存储节点具有单粒子抑制效果,可以增加单粒子翻转的临界电荷量,但是由于存储的电平受锁存窗口的影响较大,受单粒子效应的影响该路的锁存值可能会出现翻转,尤其对于深压微米工艺,高的时钟频率和窄的锁存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。