技术编号：9308732
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体为直接跃迀型半导体，且其带隙也较宽而为0.7?6.2eV，从而被广泛用于高效的蓝色发光二极管元件(LED)等之中。氮化物半导体晶体的成长方法虽然有很多种，但是广泛使用了所制备的晶体的组分控制较容易且批量生产性优异的金属有机气相沉积法(MOCVD)。而且，以下专利文献I中，公开了使用表面活性剂而将P型氮化物半导体与P侧电极之间的界面设为陡峭及平坦的方法。在先技术文献专利文献专利文献1日本特开2009-277931号公...
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