技术编号:9315561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着技术的发展,SiC作为第三代半导体材料在功率器件和IC行业的应用越来越 广泛。在其大直径生长过程突破后,其晶片的制造过程成为人们关注的焦点。由于高硬度 和脆性,使得SiC单晶片的切割、研磨和抛光成为器件制造过程的瓶颈,尤其是切割过程, 占据了整个晶片制造工作量的50%左右。切割后的晶片表面质量对后续的研磨和抛光工作 以及晶片作为功率器件衬底的使用寿命具有重要影响。目前SiC单晶的切片主要采用固结 金刚石磨粒的线锯进行切割,线锯表面的磨粒和SiC单晶表...
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