技术编号:9317449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。由于光伏产业的迅猛发展,带动了多晶硅产业的发展,国内多晶硅生产工艺主要采用三氯氢硅还原法,由于技术不成熟,不可避免的产生了氯硅烷废气。氯硅烷废气的主要来源三氯氢硅的合成工序、三氯氢硅的精馏提纯工序、三氯氢硅的还原工序、⑶I工艺。氯硅烷废气的主要成分SiCl4、SiHCl3,SiH2Cl2, HCUH2, N2。现阶段氯硅烷废气处理的主要方式是碱液淋洗(NaOH溶液或者Ca (OH)2溶液),就是氯硅烷废气进入碱液淋洗塔被碱液吸收,尾气通过安全液封罐达标排放...
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