技术编号：9321201
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以往，对于利用由等离子体激励O2气体而产生的改性气体对形成于基板表面的金属氧化膜进行改性处理的改性方法，公知有使改性处理时的基板温度从室温成为小于金属氧化膜的结晶温度、之后根据需要使金属氧化膜结晶的金属氧化膜的改性方法。此外，也公知有使改性处理时的基板温度成为金属氧化膜的结晶温度以上、同时进行改性处理和结晶处理的金属氧化膜的改性方法。发明内容_4] 发明要解决的问题但是，成膜的用途并不限定于形成电子电路，也存在为了制造图案形成用的硬掩模而进行成膜的情况。在...
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