技术编号:9324432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于散射光学测量,更具体地,涉及一种适用于纳米级三维形貌 测量的远场矢量光学特性建模方法。背景技术 近年来,传统的微电子集成电路(IC)与微机电系统(MEMS)加工从微米量级突破 到纳米量级。随着加工尺寸的不断减小,其三维形貌参数对器件最终性能的影响也越来越 显著。这些三维形貌参数不仅包括特征线宽(即关键尺寸)、周期间距、高度、侧壁角等轮廓 参数,而且包含线宽粗糙度(LWR)、线边粗糙度(LER)等重要特征。由于三维形貌参数是IC 制造中影响器件性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。