技术编号：9328336
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。例如DRAM的易失性存储器的存储单元包括用作开关的晶体管和存储对应于数据的电荷的电容器。根据在存储单元的电容器中带电的电荷的数量(即，电容器的终端的电压是高或低)来确定数据是高(即，逻辑I)或低(即，逻辑O)。由于数据的保持是以电荷在电容器中积聚的方式来实现，原则上不发生功率消耗。但是，因为由MOS晶体管等的PN结引起的电流泄露，在电容器中存储的电荷的初始量减少，数据可能会丢失。为了防止数据丢失，在存储单元中的数据应当被读取和再充电(recharge)以在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。