技术编号：9328629
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 GaN材料具有带隙宽（Eg = 3.39 eV)、发光效率高、寿命长等特点，成为制备蓝白 光发光二极管（LED)的最优选材料，被誉为第三代半导体材料。由于GaN和衬底材料间的晶 格常数和热膨胀系数相差较大(如GaN和蓝宝石衬底间晶格常数相差16%)，因此GaN外延薄 膜中存在的位错密度很大，通常为IO 8~10 cm 2,未掺杂GaN材料的室温背景载流子（电 子）浓度高达IO17Cm 3,显示出η型电导，掺Si可以很容易获得η型，电子浓度达到IO19~ ...
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