技术编号:9328636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体处理中膜的图案化在半导体的生产和制造中往往是关键步骤。图案化包 括光刻。在常规的光刻中,如193nm的光刻,图案通过下列步骤印刻通过从光子源发射光 子到掩模并将图案印在感光性光致抗蚀剂上,从而造成光致抗蚀剂中的化学反应,在显影 之后,去除光致抗蚀剂的某些部分以形成图案。 先进的技术节点(如国际半导体技术发展路线图所定义)包括节点22纳米、16纳 米、以及小于16纳米。在16纳米节点中,例如,在镶嵌结构中典型的通孔或线的宽度通常 不超过约30纳米。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。