结合真空的硬掩模工艺和装置的制造方法技术资料下载

技术编号:9328636

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在半导体处理中膜的图案化在半导体的生产和制造中往往是关键步骤。图案化包 括光刻。在常规的光刻中,如193nm的光刻,图案通过下列步骤印刻通过从光子源发射光 子到掩模并将图案印在感光性光致抗蚀剂上,从而造成光致抗蚀剂中的化学反应,在显影 之后,去除光致抗蚀剂的某些部分以形成图案。 先进的技术节点(如国际半导体技术发展路线图所定义)包括节点22纳米、16纳 米、以及小于16纳米。在16纳米节点中,例如,在镶嵌结构中典型的通孔或线的宽度通常 不超过约30纳米。...
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