技术编号：9328637
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率器件的制造方法，具体涉及一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法。背景技术相对于以硅为代表的第一代半导体和以砷化镓为代表的第二代半导体，第三代半导体的碳化硅和氮化镓具有更大的禁带宽度和临界击穿电场，较为适合制造高温大功率半导体器件。目前，碳化硅功率器件成为研究的热点之一。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种广泛使用的碳化硅功率器件。其中将控制信号提供给栅电极，该栅电极通过插入的绝缘体将半导体表面分开，所述绝缘体如...
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