增强离子植入的抗蚀剂去除的等离子体干式剥离预处理的制作方法技术资料下载

技术编号:9328641

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这里给出的背景技术描述是为了总体地表示本公开的背景。至本背景技术章节中 描述的程度的当前指名发明人的工作以及在申请提交时不会以其它方式定性为现有技术 的描述的各个方面既不明确地也不隐含地认为是相对本公开的现有技术。 衬底处理系统被用来沉积或移除衬底上的薄膜。在处理期间,光阻剂层可被沉积 到衬底上。光阻剂层可随后被布图以限定掩模区域和未掩模区域以供后续离子植入。在离 子植入期间,材料离子在电场中加速并被导向至衬底。离子用来改变衬底的物理、化学和/ 或电气性...
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