技术编号：9328693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着CMOS集成电路制造工艺的发展以及关键尺寸的缩小，很多新的方法被运用到器件制造工艺中，用以改善器件性能。在MOS晶体管器件和电路制备中，最具挑战性的是传统CMOS器件在缩小的过程中由于Si02栅氧化层介质厚度减小带来的高的栅极漏电流。同时，为了避免多晶娃栅极的耗尽效应，至28nm以下技术结点，HKMG(high k metal gate，高介电常数栅极)工艺成为主流，具有较高介电常数的氧化铪成为主要的栅极介质材料(k>20)ο由于阈值电压的要求，...
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