技术编号:9328791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种能够应用于MOSFET (绝缘栅型场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅型双极晶体管)等的具有高耐压且大电流容量的超结(Super Junct1n)结构的。背景技术半导体装置一般存在单面具有电极部的横向型和双面具有电极的纵向型。纵向型半导体装置导通时漂移电流流动的方向与截止时由反向偏置电压引起的耗尽层延伸的方向相同。例如在通常的平面型的η沟道纵向型MOSFET的情况下,在MOSFET处于导通状态时,高电阻的η漂移层作为使漂移电流沿纵向流动的区域发...
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