技术编号：9328797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于高压的超结M0SFET，其终端结构通常都是通过多组相同的沟槽结构组成，如果想得到足够高的终端区域的耐压，终端结构必须占用很大的面积，如600V高压SJMOSFET,终端结构的宽度至少大于130 μ m。而MOSFET器件的终端结构占用面积增大时，势必会导致MOSFET的器件区面积减小，降低器件的集成度，会增大使用成本。发明内容本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，其结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相...
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