技术编号：9328865
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜结构LED芯片，尤其涉及一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。背景技术基于激光剥离与键合技术的GaN基功率型薄膜结构发光二极管LED在大功率照明领域具有十分广阔的应用前景。该方案的关键步骤是将蓝宝石上生长的GaN外延层在制备好P电极等P面结构后，键合到Si或Cu等导电导热的转移衬底上，然后利用激光剥离技术去除作为生长衬底的蓝宝石，并在露出的N极性GaN表面，进行表面粗化，然后制备n电极。键合技术需要实现高粘结强度以保证成品率，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。