技术编号：9332470
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 近年来，使用通孔（Vias)作为有效地封装半导体装置的方法已迅速发展。遗憾的 是，对通孔的精确表征导致通常与更成熟的半导体制造过程关联的实现产量方面的困难。 因此，作为半导体装置和封装的制造过程的一部分，需要更精确地表征在半导体衬底上以 及穿过半导体衬底形成的通孔的性质。附图说明 图1是现有技术的使用3D封装技术形成的理想半导体装置的示意性剖视图。 图2a_2c是外形渐细程度不同的通孔的剖视图。 图3是衬底上形成的示例性TSV的示意性剖面。 图4是示出确...
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