技术编号：9332580
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 最近半导体图案伴随着大规模集成电路（large scale integrated circuit LSI)的高度集成化和高速化而在进一步微细化，当前在利用了用作通用技术的曝光的光刻 (lithography)中，源于光源的波长的分辨率实际上已接近极限。作为使用于抗蚀剂图案形 成的光刻用光源，在广泛地使用利用水银灯的g_线（line)(436nm)、i-线（365nm)，最近为 了图案的微细化，使用KrF受激准分子激光器（excimer laser) (...
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