技术编号:9332841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及用于分解绝缘体上半导体式的结构中的二氧化硅层的方法。背景技术 如图1A和图1B所示的现有技术中已知的分解方法是用于分解在绝缘体上半导体 式的结构5中的二氧化硅层1的方法,该结构从其背面6至其正面7包括支撑衬底8、二氧 化硅层9以及半导体层10。 正面7对应于半导体层10的自由表面。 本领域技术人员将在Kononchuk的文章(Kononchuk等,NoveltrendsinSOI technologyforCMOSapplications,So...
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