技术编号：9333112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。极紫外(EUV)光(例如，具有大约50nm或者更小波长的电磁辐射(有时还称为软X射线)，并且包括大约13nm波长处的光)可以在光刻工艺中使用以在基板(例如硅晶片)中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但是不必限于将具有在EUV范围内的发射谱线的元素(例如氙、锂或者锡)的材料转换为等离子体状态。在一个这种方法(通常称为激光产生等离子体(LPP))中，可以通过使用放大光束(其可以称为驱动激光)辐射例如材料的滴、流或者簇形式的靶材料来产生等离子体。对于这一过程...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。