技术编号：9340966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在3轴AMR MEMS项目中，传感器的X/Y器件一般被做在硅片的表面，而Z轴的部分，使用了 3um深、3um宽的沟槽，并在深槽侧壁淀积的NiFe层，用于形成Z-轴部分。衬底的表面情况对NiFe的磁性能有很大的影响，如果表面特别粗糙，那么磁灵敏度和稳定性都会受到影响。根据现有技术制造3轴AMR MEMS,发现在NiFe淀积完成后，侧壁表面特别粗糙，而X/Y所在的表面就光滑很多，原因就是在沟槽刻蚀时，造成的侧壁损伤。发明内容本发明所要解决的技术问题是针对现有技...
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