技术编号：9341076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。四氧化三钴属于立方晶系，单位晶胞中含有8个四氧化三钴分子，32个氧原子形成面心立方结构，Co2+占据8个四面体位置，Co3+占据16个八面体位置，属于正尖晶石结构。它的直接禁带宽度~ 2.10 eV，间接禁带宽度~ 2.10 eV，它是一种典型的磁性p型半导体。在传感器、锂离子电池、超级电容器、催化等领域有着广阔的应用，成为一种最有前景的过渡金属氧化物。目前，已经有很多方法来制备各种形貌的四氧化三钴材料，CN 201110319712.6公开了一种利用微乳...
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