技术编号：9342655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体(如砷化镓)传感器应用领域，应用本征半导体的禁带宽度随温度升高而减小的现象，在1999年，曹康敏等人用砷化镓晶片作敏感元、光纤作导光系统、半导体发光二极管作光源、半导体光电二极管做光电转换元，构成了半导体吸收式光纤温度传感器。上述半导体(如砷化镓)吸收式光纤温度传感器基本原理是当一定波长的光照射到半导体上时，半导体中的电子吸收了足够的能量，从价带跃迀到导带，从而发生本征吸收(发生本征吸收的条件是电子从价带跃迀到导带的光子能量h V必须大于半导体禁带...
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