技术编号：9344936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 均匀的加热对于包括应用到诸如基于Si或GaN的晶片之类的薄衬底的化学汽相 沉积工艺的很多工业应用是重要的。在一些化学汽相沉积系统中，通常将一个或多个晶片 衬底放置在包含具有一个或多个晶片间隔室或晶片凹室的晶片承载器的反应器中。然后将 晶片承载器和晶片衬底在反应器中加热，并经受在衬底表面附近反应的诸气体。这种反应 导致薄的外延材料层在晶片衬底的表面上生长，在其上形成理想的晶体结构。所得的经加 工处理的晶片可用于诸如集成电路和发光二级管之类的成品的生产。 在...
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