技术编号:9349817
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在SRAM系统级抗单粒子翻转效应加固技术中,基于海明码、三模冗余(TMR)错误 检测与校正(EDAC)的加固技术被普遍采用。 文献"抗单粒子翻转效应的SRAM研究与设计.固体电子学研究与进展,陈楠, 魏廷存等.Oct.,2013, Vol. 33, No. 5. "公开了一种采用海明码校验的EDAC抗单粒子辐射加 固方法,该系统结构主要由SRAM、EDAC编码电路、EDAC解码校验电路组成。SRAM的数据 写入和读出都经过EDAC模块处理,其中EDAC编...
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