技术编号：9350186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着CMOS的特征尺寸已经进入了深亚微米阶段，其元器件密度、工作速度以及集成电路规模逐渐增加，集成电路的能耗密度越来越大，导致片上温度越来越高，从而带来的发热问题对集成电路的影响也日益严重。集成电路的功耗密度和工作温度的提高必然造成集成电路性能和可靠性的降低。对于复杂的芯片如何能够对其长期工作的可靠性进行评估就成为一个重要的问题。当工艺特征较小的时候，芯片的功耗和可靠性之间的矛盾就越发的尖锐，传统的设计流程先设计后可靠性，可靠性失效再修改版图，如此反复直到...
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