技术编号：9351516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造工艺过程中，化合物半导体器件有源区电学隔离的主要技术途径包括台面腐蚀隔离和注入隔离。台面腐蚀方法实现电学隔离有诸多不益，例如深亚微米栅条在跨越几百纳米的腐蚀台阶时容易出现断条而影响成品率；其次，腐蚀出的有源区台面容易造成在栅条通过台面侧壁时与导电沟道接触，导致栅泄漏电流增大、栅击穿电压下降；第三，裸露在台面侧壁的异质结断面在工艺制备过程中容易被腐蚀、沾污、在钝化膜覆盖时还会有一定量的耗尽这也是在半导体制备工艺过程中常常出现的问题。相对于台面腐蚀...
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