技术编号：9351581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中的IGBT的平面栅的制作过程如图1、图2和图3所示，如图1所示，图1为现有技术中的制作方法中第一步形成的IGBT平面栅的示意图，首先制作栅氧层1，然后在栅氧层I上制作多晶硅栅2，再在多晶硅栅2上制作第一氧化层3 ;如图2所示，图2为现有技术中的制作方法中第二步形成的IGBT平面栅的示意图，对图1得到的结构利用高温炉管进行氧化推进，在栅极表面形成第二氧化层4 ;再进行整面的刻蚀，刻蚀掉发射极上的第二氧化层4之后，如图3所示，图3为现有技术中的制作方...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。