技术编号:9351587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的进一步发展,芯片特征尺寸的进一步缩小,单个芯片上集成的器件数目的进一步增多,功耗越来越受到人们的关注。根据ITRS数据显示,当特征尺寸缩小到32nm节点时,功耗会是预计趋势的8倍,即随着特征尺寸的逐步缩小,传统的MOS器件就功耗方面将不能满足需求。另外,场效应晶体管MOSFET尺寸的减小面临着室温下亚阈值斜率最小为60mV/deCade的限制。基于量子隧穿效应的隧穿场效应晶体管TFET与MOSFET相比,没有亚阈值斜率最小为eOmv/deca...
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