技术编号：9351619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电材料与器件，更具体地，涉及一种柔性衬底单晶颗粒太阳能电池的制备方法。背景技术随着地球上有限的石油和煤炭等不可再生资源的逐渐耗尽，可再生能源的利用与开发显得越来越紧迫，其中，太阳能光伏发电已经成为可再生能源中最安全、最环保和最具潜力的竞争者。目前制约太阳能光伏发电产业发展的问题在于生产成本高、转换效率偏低。铜锌锡硫(CZTS)和铜锌锡硫砸(CZTSSe)是直接带隙p型半导体，光吸收系数大(>104cm)，其禁带宽度分别为1.5和1....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。