技术编号:9352192
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。Electrostatic discharge (ESD)问题在IC产品中随着节点的变小而日趋严重。常用的ESD保护器件有MOS,D1DE, SCR。其中SCR单位尺寸的ESD保护能力最强。图1是常用的基于NMOS的ESD保护结构。利用RC耦合的特性,当VDD上有正向ESD脉冲时,RC耦合效果使得最后一级NMOS的栅极变高,NMOS开启放电。缺点在于NMOS的单位尺寸放电能力比较差,此电路设计需要非常大尺寸的放电NMOS晶体管。由于NMOS尺寸很大,所以前...
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