技术编号：9355073
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。极紫外线光刻(EUV，也被称为软X射线投影光刻(soft x-ray project1nlithography))是用以取代用于制造0.13微米及更小的最小特征尺寸的半导体器件的深紫外线光刻(deep ultrav1let lithography)的竞争者。然而，极紫外线光通常在7至40纳米的波长范围内，极紫外线光在实质上所有材料中被强烈吸收。因此，极紫外线系统通过光的反射来工作，而非通过光的透射来工作。通过使用一系列的镜或透镜元件，以及反射元件或涂布有非...
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