技术编号:9355401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)等半导体装置中,能够将内置二极管用作回流二极管。例如在专利文献I中,提出了将作为回流二极管的SBD (Schottky Barrier D1de)内置于MOSFET的构件单元内来利用的方法。专利文献1日本特开2003-017701号公报发明内容在MOSFET等半导体装置中,内置了 pn 二极管。因此,如果在对pn 二极管施加了正向的电压的状态下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。