技术编号:9355412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在本说明书中,公开了一种当沟槽栅电极的电压发生变化时电阻会变化的半导体装置。已知有一种半导体装置,其从半导体基板的表面侧起顺次层压有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域以及第一导电型的第三区域,并且形成有贯穿第一区域和第二区域并到达至第三区域的沟槽栅电极。例如,已知一种MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),其第一区域为源极区,第二区域为体区,第三区域为漂移区,当向沟槽栅电极施加电压时将在体区内形成有反转层而使源极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。