硅烷功能化缓冲层和包括该缓冲层的电子设备的制造方法技术资料下载

技术编号:9355430

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专利说明 本发明涉及有机电子领域,例如0LED、0PV和光电探测器。本发明特别地提供适于 制造这种有机电子器件的中间体商品和材料,提供特殊的制造方法和提供特殊的应用。 已知将缓冲层用于有机电子中,例如有机发光二极管(OLED)或者有机光伏电池 (OPV),从而增加器件效率。这种缓冲层包括金属氧化物,例如ZnO, TiOx,WOx,NiO, NbyOx, 或掺杂的金属氧化物,例如Al-掺杂的ZnO( "ΑΖ0")。通常,已知成颗粒形式的这种金属 氧化物。如上...
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