技术编号:9368235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为对半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)进行例如氧化硅膜等薄膜的成膜的方法,公知有进行所谓ALD (Atomic Layer Deposit1n原子层沉积)法的成膜装置。作为用于实施该ALD法的装置,如专利文献I所记载的那样,公知有如下的结构利用旋转台使配置在真空容器内的旋转台上的多张晶圆公转,从而使多张晶圆依次通过被供给有原料气体的区域和被供给有与原料气体发生反应的反应气体的区域。在该装置中,利用气体喷嘴来供给原料气体,该气体喷嘴沿旋转台的径向延伸并沿...
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