技术编号:9372610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,存在一种电容式压力传感器,其通过将两片SOI晶片键合而形成电容空腔,而上下电极均由硅形成。但是,通过该方法来制作电容式压力传感器存在着较多的弊端。首先,该技术中采用的深坑刻蚀工艺非常复杂,而且电容的特性容易受刻蚀腔的影响而产生漂移。其次,由于SOI晶片的成本较高,因此会增加这种电容式压力传感器的制作成本。并且还需要采用娃通孔(Through Silicon Via, TSV)技术来隔离,而该技术成本很高。因此,需要提供一种电容式压力传感器和制作该电容...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。