技术编号:9372822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于平面晶体管而言,通常采用二次离子质谱(sms)来分析得到硅片的从表面垂直向下的面积在50平方微米范围内的掺杂离子浓度分布。对于FinFET晶体管而言,其鳍片(Fin)作为晶体管的沟道,属于三维立体结构,单独采用二次离子质谱来分析得到鳍片的从顶部到底部的掺杂离子浓度分布是不可行的。因此,需要提出一种方法,以解决上述问题。发明内容针对现有技术的不足,在一个实施例中,本发明提供一种FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量样品制备方法,包括提供半导体衬底,在所述半导...
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