技术编号：9373494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的快速发展，传统的硅工艺在器件理论、器件结构以及制作工艺上出现了越来越多的问题集成度的提高导致了功耗的迅速增加，栅氧化层变薄导致介质层容易被击穿，这些问题都严重制约着集成电路的发展。而SOI作为一种全介质隔离技术，有着传统体硅不可比拟的优点。由于它采用的是全介质隔离结构，SOI器件的抗辐射特性好，彻底消除了体硅CMOS电路的闩锁效应，并且SOI工艺比传统的体硅面积小。但是仅仅了解SOI器件如何进行设计、制造是不够的。对一般IC设计者，因缺乏设计...
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