技术编号:9375406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。易失性存储器(例如,DRAM)的存储器单元可以包括用作开关和储存电荷(数据)的电容器的晶体管。根据在存储器单元的电容器中是否存在电荷(即,电容器的端子的电压为高还是低)来确定存储器单元的数据为高(逻辑I)还是低(逻辑O)。只要累积在电容器中的电荷被保持,数据就会被保留而无丢失。然而,因为储存在电容器中的电荷由于在MOS晶体管的PN结中的泄漏电流等的原因而减少,所以数据可能丢失。为了防止数据丢失,在数据丢失之前可以读取存储器单元中的数据,并且电容器可以与读取...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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