技术编号：9375936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小到先进纳米工艺节点，体硅技术在材 料、器件结构以及制造工艺等方面出现了一系列新问题。为了克服体硅CMOS工艺的不足， SOI技术被提出，并逐渐成为制造高速、低功耗和高集成度的超大规模集成电路的主流技 术。 尽管SOI技术有着许多体硅技术不可比拟的优越性，但由于SOI技术的主要特点 来自于全介质隔离（SOI CMOS器件在衬底和有源区间还包含一层以SiO2为材料的绝缘氧化 埋层)，而这种介质的热传导率通常比硅小两个数量级...
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